GaN基谐振变换器高频磁技术_10627.pdf
2021-08-14 15.79MB
GaN基谐振变换器高频磁技术
节选段落一：
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_01
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_02
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_03
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_04
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_05
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_06
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_07
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_08
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_09
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_10
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_11
GaN基谐振变换器高频磁技术节选段落二：
-吴红飞_页面_12
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_13
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_14
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_15
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_16
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_17
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_18
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_19
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_20
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_21
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_22
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_23
GaN节选段落三：
基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_24
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_25
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_26
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_27
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_28
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_29
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_30
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_31
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_32
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_33
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_34
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_01
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_02
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_03
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_04
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_05
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_06
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_07
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_08
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_09
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_10
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_11
GaN基谐振变换器高频磁技术节选段落二：
-吴红飞_页面_12
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_13
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_14
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_15
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_16
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_17
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_18
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_19
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_20
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_21
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_22
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_23
GaN节选段落三：
基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_24
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_25
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_26
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_27
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_28
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_29
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_30
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_31
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_32
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_33
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞_页面_34
GaN基谐振变换器高频磁技术-吴红飞
GaN基谐振变换器高频磁技术_10627.pdf的相关案例教程
SiC/GaN，海外巨头疯狂扩产！
近日，功率半导体龙头厂商英飞凌宣布，将投资超20亿欧元在马来西亚居林工厂建造第三个厂区，以大幅增加产能，新厂区主要涉及外延工艺和晶圆切割等关键工艺，将于6月开始施工，预计第一批晶圆将于2024年下半年下线。 英飞凌此前透露，其2022财年的投资将大幅提升至24亿欧元。如今超八成资金被用在了第三代半导体投资上。未来，英飞凌还将持续为其第三代半导体业务注资，将把奥地利菲拉赫的6英寸、8英寸硅基半导体生
从原理到实例：GaN为何值得期待？
功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要指能够耐受高电压或承受大电流的半导体分立器件，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。在功率半导体的发展路径中，功率半导体从结构、制程、技术、工艺、集成化、材料等各方面进行了全面提升，其演进的主要方向为更高的功率密度，更小的体积，更低的成本及损耗。特别是材料迭代方面，从硅Si材料逐渐向氮化镓 （GaN） 等宽禁带材料升级，使得功率器件体
产能提升300%，GaN又有新技术
5月5日，《自然》期刊发表一项氮化镓单晶的激光减薄新技术，其作者包括诺贝尔得主天野浩。 据介绍，该技术可以将氮化镓衬底产能提升3倍，同时可以省去衬底抛光工艺，因此有助于帮助降低氮化镓单晶器件制造成本，该技术也有望应用于碳化硅单晶切割。 根据文献， 名古屋大学 和 日本国家材料科学研究所 等组成的研究团队，新开发了一种 GaN衬底减薄技术——激光减薄技术。 此前，他们已证明可以用激光对GaN单晶进行
GaN基谐振变换器高频磁技术_10627.pdf的评论0条
GaN基谐振变换器高频磁技术_10627.pdf的相关视频课程
项目客服
培训客服
