Moldex3D模流分析之STMicroelectronics用Moldex3D成功优化IC封装制程

Moldex3D模流分析之STMicroelectronics用Moldex3D成功优化IC封装制程的图1Moldex3D模流分析之STMicroelectronics用Moldex3D成功优化IC封装制程的图2

STMicroelectronics 工程运用 Moldex3D芯片封装解决方案将脂充填不完整的风险降到最低。首先,件能重因流不平衡而引的包封形成情况。接下来运用 Moldex3D 模将封装设计优化,降低问题风险。最后藉由更改几何形状发现对充填前推有惊人效果,能在成型程中避免构瑕疵。Moldex3D 可用来成功在虚拟环境中预测问题,并可将模拟结化并整合至新成品的封装原型制造中。

1、改善不平衡的流

2、减少线及包封

解决方案

根据 STMicroelectronics 设计师,藉由准配置焊垫尺寸,就能减树酯在模穴部与底部之不平衡的情形。由于已确定导线焊垫属于位置,因此将其设计优化可充填行有极大帮助。事上,此方法能减少成品的关键结线数量。因此,此解决方案藉由先从设计着手解决包封的问题,而非从耗实验进行原型制造开始。

效益

1、找出关键结线机率高的位置

2、降低线会合角及形成包封的可能性

案例研究

IC封装是在模腔中以氧脂成型材料(EMC)将微芯片封装的程,接着用柱塞将片剂压入模腔,如一所示。

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IC封装制程

IC封装常难题包括不完全充填、内部包封及金线偏移和交叉等,如二所示。若要避免造成生上的失和客抱怨,就必前及早预测问题并加以改善。

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IC封装的常见问题

STMicroelectronics团队Moldex3D网格建构微芯片品的模型。因品具有称性,短分析时间,只建立了一半的模型()。

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模型与Moldex3D Mesh建构的模型

Moldex3D分析,可察到模实验结果相当一致()。

Moldex3D模流分析之STMicroelectronics用Moldex3D成功优化IC封装制程的图6

原始设计实验和模拟结果比

分析,很容易就可找出流不平衡和包封生的原因。如五所示,由于几何不流效端的流速比底部的快,并在底部反,使得空气被限在模腔底部,而线致空洞。

Moldex3D模流分析之STMicroelectronics用Moldex3D成功优化IC封装制程的图7

充填段的流波前行

找出问题成因后,设计该团队缩小晶粒座的尺寸()。分析设计发现,流不平衡线问题皆有著改善(七、八)。

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导线架之原始与设计

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原始设计设变的流波前比

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原始设计设变线结

本案例中,STMicroelectronics透Moldex3D的模,以小晶粒座尺寸的方式,成功解决流不平衡、包封、线问题,并提高了品的局部机械强度。如此即可在早期段以快速且低成本的方式解决问题,而无费时间和成本

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