耦合温度损伤位错密度的显式晶体塑性模型

温度场通过初始温度以及塑性产热计算,同时忽视局部的热传导,准静态加载速率下的泰勒-昆尼系数η为0.0,1000 s加载速率下为0.95−1及以上(塑性功转化为热的比例)

耦合温度损伤位错密度的显式晶体塑性模型的图1

通过经典的热激活模型,将温度效应引入流动方程,并考虑温度对刚度的退化

耦合温度损伤位错密度的显式晶体塑性模型的图2

位错密度模型演化遵循经典的KM模型,同时考虑位错之间的相互作用,即考虑了位错的产生和湮灭,以及湮灭半径与温度的关系。因此有利于由实验进行对照分析。

耦合温度损伤位错密度的显式晶体塑性模型的图3

损伤基于经典的JC损伤,并等效的对应力进行退化

拉伸模型

耦合温度损伤位错密度的显式晶体塑性模型的图4

网格划分(每个单元表示一个单独取向的晶粒,即初始的取向不同)

耦合温度损伤位错密度的显式晶体塑性模型的图5

局部断裂时温度场分布(初始293K,假设taylor-Q系数为0.95)

耦合温度损伤位错密度的显式晶体塑性模型的图6

局部断裂时局部位错密度分布(仅考虑统计储存位错密度)

耦合温度损伤位错密度的显式晶体塑性模型的图7

局部断裂时损伤分布

耦合温度损伤位错密度的显式晶体塑性模型的图8

局部断裂时等效塑性应变分布

耦合温度损伤位错密度的显式晶体塑性模型的图9

局部断裂时mises等效应力分布

耦合温度损伤位错密度的显式晶体塑性模型的图10


ABAQUS二次开发损伤模型abaqus晶体塑性
1 1

耦合温度损伤位错密度的显式晶体塑性模型的相关视频课程

耦合温度损伤位错密度的显式晶体塑性模型的相关资料下载

耦合温度损伤位错密度的显式晶体塑性模型的评论0条

    暂无评论

    耦合温度损伤位错密度的显式晶体塑性模型的相关案例教程

    在FCC晶体中,有12种滑移系统可能在塑性变形过程中被激活 通常,样品的晶体学和应力状态是决定滑移系统是否活跃的主要因素。试验过程中试样所经历的塑性来自于激活滑移系统的贡献。临界分辨剪切应力是确定晶体滑移开始的标准,而FCC金属材料塑性变形主要由位错滑移贡献。以位错为内变量的本构方程可以对多晶材料的塑性变形做出更加物理的描述和预测,并与微尺度的实验进行对比分析。 Ma和Roters引入的基于位错密
    在FCC晶体中,有12种滑移系统可能在塑性变形过程中被激活 通常,样品的晶体学和应力状态是决定滑移系统是否活跃的主要因素。试验过程中试样所经历的塑性来自于激活滑移系统的贡献。临界分辨剪切应力是确定晶体滑移开始的标准,而FCC金属材料塑性变形主要由位错滑移贡献。以位错为内变量的本构方程可以对多晶材料的塑性变形做出更加物理的描述和预测,并与微尺度的实验进行对比分析。 Ma和Roters引入的基于位错密
    多主元合金(MPEAs)表现出了优异的力学性能,包括良好的抗疲劳性、高屈服强度、耐腐蚀、高延性和热稳定性,特别是高强度和良好的延性的前所未有的结合。因此,MPEAs有望在关键结构和功能上得到广泛应用,例如抗损伤材料和工具材料。作者通过调研发现,与传统合金不同,实验和模拟表明MPEAs中不同的原子类型会导致较大的原子晶格畸变来控制力学性能。 在细观尺度上,晶体塑性有限元(CPFE)方法可以考虑相变、
    VPSC (Virtual Performance Solution for Crystal) 是一种用于模拟晶体塑性行为的计算机程序,可以用于研究材料的塑性变形机制以及预测材料的力学性能。VPSC最初由美国加州大学圣地亚哥分校的Daniel W. Chung教授于1998年开发,现在已经发展成为一种被广泛使用的开源软件,被应用于材料科学、地球科学、地质学等领域。 VPSC是一种基于晶体塑性学理论
    由于微纳米力学的发展,材料强度的尺寸效应在过去几十年引起了科学界的广泛关注。为了探索尺寸效应的内在机制,进行了大量的微观尺度实验,如微扭曲、微压痕等。这些实验都得出了一个共同的结论,即样本量越小,材料强度越强。同时还发现,材料强度的尺寸效应可能来源于与几何必需位错(GNDs)相关的应变梯度。另一方面,不同的SG塑性理论相继被发展出来(研究微米/亚微米尺度的一些力学问题),这些理论有效地结合了统计存
    影响力
    粉丝
    内容
    获赞
    收藏