求助：对键合片在高温下的不同材料层应力产生与传递仿真应如何设置？

求助各路大神，基于COMSOL6.3仿真，我如今有这样的结构，在450μm厚的基底硅上通过电子束蒸发沉积有一层300nm厚的金用作键合环，在450μm厚的硅盖板底部通过热氧化生长了3.8μm厚度的SIO2，然后再通过电子束蒸发在SIO2底部沉积300nm的金用作键合环，最后通过金金热压键合工艺将盖板与基底键合起来（基底与盖板内部均挖有正方形截面的长方体凹槽，凹槽不贯穿基底或盖板，键合环在凹槽的台阶外部边缘），请问对于这样的结构，我想要通过COMSOL仿真在已经键合完成的情况下（暂时不考虑键合工艺的残余应力，假设20摄氏度下各层结构无应力），键合片在20-200摄氏度的不同环境温度下内部各层之间真实的热失配应力的产生与传递情况，并在后处理中查看分析金-硅/金-SIO2/金-金界面在高温下的脱粘风险，对于每种材料层之间分别应该使用联合体还是装配体？若使用装配体，对于不同材料的界面应该使用接触对还是一致对？若使用接触对，应该在固体力学接口的接触里添加哪些或哪个接触特性的子接口？