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如果我年少有为 770 1
高精度温度传感芯片是利用物质各种物理性质随温度变化的规律把温度转换为电量的传感芯片。这些呈现规律性变化的物理性质主要有体。温度传感芯片是温度测量仪表的核心部分,品种繁多。按测量方式可分为接触式和非接触式两大类,按照传感器材料及电子元件特性分为热电阻和热电偶两类。 一般铂系电阻温度传感器,如Pt100,Pt1000,是精度较高的温度传感器,按中国标,分为二等铂电阻,精度+/-0.3℃,一等铂电阻,精
详解高精度数字模拟混合信号温度传感芯片的工作原理及应用
永嘉微电-曾婷婷 750
产品品牌:永嘉微电/VINKA 产品型号:VK1620 封装形式:SOP20 概述 VK1620B是一种数码管或点阵LED驱动控制专用芯片,内部集成有3线串行接口、数据锁存器、LED 驱动等电路。SEG脚接LED阳极,GRID脚接LED阴极,可支持10SEGx4GRID、9SEGx5GRID、8SEGx6GRID的点阵LED显示面板。适用于要求可靠、稳定和抗干扰能力强的产品。采用SOP20的封装形
数码管显示屏驱动/抗干扰数显IC-VK1620性价比高,稳定性好,抗干扰能力强
仿真APP 840
手机、电脑、智能家电等智能化设备都离不开芯片,随着人们对智能化设备的功能要求越来越多样化,芯片不断朝着小尺寸、多功能、高密度、高功耗的方向发展,随之而来的是越来越严重的发热问题。芯片过热会导致其性能下降,寿命缩短,造成不可逆损坏,这已经成为制约半导体发展的主要因素。 芯片在出厂前首先要对其进行封装,封装是为了实现半导体芯片与外界交换信号并保护其免受各种外部因素影响。为了确保芯片能够稳定工作并延长使
如何破解芯片封装热仿真技术“卡脖子”难题?
万有引力LYQ 850 2
“ 近场扫描仪是一种利用电磁场探头对集成电路板、IC芯片等器件或整机产品电磁场测绘的工具,通过逐点测试可以得到区域内的电场、磁场大小分布图,可用于分析电磁干扰问题。本文利用HFSS仿真工具,在软件中模拟芯片近场扫描。 ” 关键词:HFSS,芯片,近场扫描 01 近场扫描仪 近场扫描仪是一种利用电磁场探头对集成电路板、IC芯片等器件或整机产品电磁场测绘的工具,通过逐点测试可以得到区域内的电场、磁场大
仿真案例 | 芯片近场扫描模拟仿真
falab 753
摘要: 分析结果表明:新能源和无人驾驶汽车快速发展使得车规芯片发挥着越来越重要的作用,也是车规芯片产业应用中的一个重要方向。对集成电路设计公司入驻车规芯片相关验证流程和规范标准、车规芯片相关可靠性验证、失效分析等方面进行了说明,并对车规芯片量产化过程中实现零缺陷这一目标进行了讨论,分析了国产车规芯片在研制过程中所面临的问题及其局限性,并对其研制方向进行了预测。 引言 随着汽车电子的深入发展,以及汽
一文解读 | 车规芯片验证的流程与展望
Copper_9140 905 1
芯片封测工厂的静电问题简述 芯片制造由前端的Wafer Fabrication(晶圆厂)与后端的Chip Assembly & Testing(芯片封装与测试)两个阶段。相比Wafer Fab,芯片封测工厂中的静电问题较为普遍而且高发。静电造成的问题以ESD(Electro-Static Discharge,静电释放或静电放电)导致的芯片电性不良为主。 图1,静电导致的芯片电性不良-leakage
了解芯片封测工厂中的静电导致的问题
用户_21151
模拟12英寸晶圆级芯片封装从无应力温度到室温的过程一般需要多长时间呢
万有引力LYQ 801
“ 近场扫描仪是一种利用电磁场探头对集成电路板、IC芯片等器件或整机产品电磁场测绘的工具,通过逐点测试可以得到区域内的电场、磁场大小分布图,可用于分析电磁干扰问题。本文利用HFSS仿真工具,在软件中模拟芯片近场扫描。 ” 关键词:HFSS,芯片,近场扫描 01 近场扫描仪 近场扫描仪是一种利用电磁场探头对集成电路板、IC芯片等器件或整机产品电磁场测绘的工具,通过逐点测试可以得到区域内的电场、磁场大
仿真案例 | 芯片近场扫描模拟仿真
电子产品世界 774 1
英特尔联合创始人戈登摩尔曾预言,芯片上的晶体管数量每隔一到两年就会增加一倍。由于图案微型化技术的发展,这一预测被称为摩尔定律,直到最近才得以实现。然而,摩尔定律可能不再有效,因为技术进步已达到极限,并且由于使用极紫外 (EUV) 光刻系统等昂贵设备而导致成本上升。与此同时,市场对不断完善的半导体技术的需求仍然很大。为了弥补技术进步方面的差距并满足半导体市场的需求,出现了一种解决方案: 先进的半导体
详解四大芯片互连技术
Moldex3D中国市场 897 2
在IC封装的程序中,金线间的距离会受制程影响而缩短,甚至有相互接触现象。金线一旦相互接触,便会造成短路。因此,掌握金线偏移的幅度,是IC封装制程中的一大挑战。现在,透过Moldex3D模拟分析工具,可以输出金线偏移的结果,让使用者精准掌握偏移程度,以利优化金线布局。 步骤1:金线偏移分析结束后,于模型树的金线项目点击鼠标右键,即会出现导出(Export)选项;接下来于Export的子选单内,选择输
Moldex3D模流分析之输出IC封装金线偏移结果预防短路问题
Moldex3D中国市场 856
常见的金线材料则包含金、铜、铝等等,由于金线的管径细小,因此金线缺陷往往是芯片封装制程最重要的挑战之一,而金线缺陷包括金线偏移、断裂以及交叉。而为了确保良率及提升性能,封装制程广泛使用多种类的线料。以下将说明如何透过Moldex3D IC封装模块,进行多种金线材料定义的偏移分析。 金线材料设定 步骤1:在Moldex3D网格前处理,用户可产生芯片组件实体网格并设定金线,接着检查图层:SRMI$为芯
Moldex3D模流分析之个别指定金线材料预测晶片封装缺陷
第三代半导体联合创新孵化中心 1078 1
六月底,来自中科院的团队在预印本平台arxiv上发表了重磅论文《Pushing the Limits of Machine Design:Automated CPU Design with AI》(机器设计新突破:使用人工智能自动设计CPU),其中使用了人工智能的方法,成功地在5个小时内完成了一个基于RISC-V指令集的CPU的设计,而且该设计经过后端布局布线后已经成功流片点亮并且能运行Linux
中科院团队用AI设计了一颗CPU
平头叔 1239
来源:半导体行业观察 近年来,Chiplet俨然已成为芯片行业进入下一个关键创新阶段,并延续“摩尔定律”的一个绝佳技术选择。 AMD、台积电、英特尔、Marvell等芯片巨头凭借敏锐的嗅觉以及强劲的技术实力,纷纷入局。Chiplet的新赛道下,从这些芯片巨头们各自为战,到向行业标准化“靠拢”,处处暗流涌动。 近日,联发科联合英伟达,以及“硅仙人”Jim Keller与LG公司的再次探索,是否预示着
Chiplet,迈出重要一步!
图元TOPBRAIN 1624 4 1
超越摩尔定律 Chiplet的概念源于Marvell创始人周秀文博士在ISSCC 2015上提出的Mochi(Modular Chip,模块化芯片)架构,伴随着AMD第一个将小芯片架构引入其最初的Epyc处理器Naples,Chiplet技术快速发展。2022年3月,Chiplet的高速互联标准——UCIe(Universal ChipletInterconnectExpr
2.5D3D封装
图元TOPBRAIN 1453 4 1
第一部分:MCU是智能汽车的核心零部件 MCU广泛应用于各行各业 微控制器(Micro-controller Unit,简称MCU)是指把中央处理器的规格与规格做适当缩减,并将内存、计数器、模数转换器(A/D转换)、异步收发传输器(UART)、可编程逻辑控制器(PLC)以及各种输入输出结构等整合在单一芯片上,形成芯片级的计算机,被广泛地应用在消费电子、计算机和通信、工业、汽车电子、物联网等领域。
车规级MCU芯片介绍
平头叔 1066 2
导语 用存算一体创新架构,重构智能驾驶芯片。后摩智能是国产AI大算力智驾芯片领域跑出的一匹黑马。 ChatGPT等人工智能应用的爆火再次引发了行业对大算力的需求。未来的计算系统相比现在的芯片,至少需要有1000倍甚至更高的效率提升才能满足无处不在的万物智能。AI芯片是AI算力的“心脏”,而高性能的AI芯片需要先进的制程技术来实现更小的晶体管、更高的集成度和更低的功耗。随着摩尔定律在逼近极限,如果继
国内首款存算一体大算力芯片,瞄准智能驾驶!
Will王 1329
现如今,ASML几乎成了光刻机的代名词。尤其是随着EUV、甚至High-NA EUV光刻机的推出,ASML更是独霸高端光刻机市场。 众所周知,光刻是芯片制造过程中最重要、最复杂也最昂贵的工艺步骤,其成本占总生产成本的30%以上,同时占据了将近50%的生产周期。 数十年来,在DUV、EUV光刻机的支持下,摩尔定律得到了延续。然而,迭代至今,面对芯片晶体管线宽已趋近物理极限,以及EUV光刻机产能有限、
纳米压印,终于走向台前?
平头叔 1378 3
与非导语 ✦ 在硅光子学进步的推动下,深度光子学集成已经在某些数据中心应用中证明了可行性,CPO架构肯定会在数据通信之外的领域继续它的故事。 ✦ ✦ GPT爆火,算力“芯慌”,而数据中心HPC的功率效率也备受关注,据称共封装器件(CPO,Co-packaged optics)能将功耗降低30%,每比特成本降低40%。真有这样的好事?条件成熟了吗?我们往下看。 CPO市场预期如何? CPO是将交换芯
光进入芯片,能为高性能计算带来什么?
平头叔 1276 2 1
来源:半导体行业观察 SiC这几年的发展速度几乎超出了所有人的意料。最近几年,在各家SiC厂商的努力下,SiC MOSFET器件已经有了大幅的改进,制造方法和缺陷筛查也有了一定的进步。SiC的商用化和上车之路已经明显加速。 在SiC MOSFET的技术路线之争上,一直有平面栅和沟槽栅两种不同的结构类型。所谓的沟槽栅,可以通俗的理解为在平面的基础上“挖坑”(如下图的示意图比较中可以清晰的看出)。国际
中国SiC,“挖坑”了吗?
平头叔 1301 1 1
来源:半导体行业观察 对于苹果来说,Silicon这个词是一把钥匙,开启通往新纪元的大门,同时又是一个魔咒,让它狼狈到几度栽了跟头,从顶级产品经理乔布斯到供应链宗师库克,不是在做自研芯片,就是在琢磨芯片的路上。 一颗面积不过几平方厘米、重量不过几克的芯片,贯穿了苹果这家地表最强公司的始终,左右着它在桌面端和移动端市场的命运。 从摩托罗拉到IBM,再到英特尔,最后回归ARM,从CISC到RISC,而
苹果,终于在芯片上认命

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