三星电子、SK海力士已向ASML下单可用于2nm工艺的High NA EUV曝光设备

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CINNO Research产业资讯,韩国半导体厂商三星电子和SK海力士荷兰阿斯麦公司(ASML订购了新一代半导体设备“High NA”极紫外线(EUV)曝光设备台积电(TSMC和英特尔Intel之后,韩国半导体制造商也即将导入可以实现2nm工艺生产的设备,预计最尖端的半导体工艺领域的竞争将越来越激烈。


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根据韩媒ETNews报道,ASML在19日的业绩公告中表示:“对于EUV High NA业务,随着获取新的Twin Scan EXE:5200设备订单,目前所有的EUV客户都已下单了High NA的设备产品。”High NA EUV设备是将表示光的集光能力的镜头开口数(NA)从0.33提高到0.55的设备。与现有EUV设备相比,High NA EUV设备可以绘制出更细微的半导体电路。因此业内普遍认为,要实现2nm工艺,High NA设备是必须的。

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英特尔和台积电已经正式表明导入High NA EUV设备。英特尔去年以重新进入Foundry市场为契机,发布综合半导体企业(IDM 2.0)战略时曾称,公司最先采购了High NA EUV设备。这是为了先发制人地导入新一代设备,追赶台积电和三星电子的系统半导体生产能力。此后,台积电也宣布已签订High NA EUV设备采购合同,但三星电子和SK海力士方面对于设备采购合同的签订却闭口不言。此次ASML的发布,实际上正式公开了韩国半导体厂商导入了High NA设备。但是三星电子和SK海力士方面表示,导入High NA EUV设备是“无法公开声明的问题”。ASML现有的EUV设备客户主要包括三星电子和SK海力士、英特尔、台积电和Micro等。

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随着全球半导体制造厂商全部向ASML下了 High NA EUV设备订单,预计从大规模量产开始的2025年起,将展开激烈的竞争。High NA EUV设备虽然比目前使用的EUV设备价格高,但因能够一次性实现超细微工艺(单次平移),从而可大幅提升生产效率。特别是三星电子在3nm工艺量产后,为了量产2nm工艺,也有必要主动确保High NA EUV设备。据推测,现有的EUV设备价格为2000亿至3000亿韩元(约10~15亿人民币),而High NA EUV设备价格高达5000亿韩元(约25亿人民币)。

根据ASML在当天发布的第三季度经营业绩,公司实现净销售额58亿欧元,毛利率为51.8%,当期净利润为17亿欧元。预计第四季度净销售额为61亿至66亿欧元。

ASML首席执行官(CEO)兼总裁Peter Wennink称:“由于包括通货膨胀、消费者信心指数下跌、经济衰退风险等多个全球宏观经济的忧虑问题,存在市场不确定性,虽然感知到不同市场的不同需求变化,但整体上ASML的系统需求仍然强劲“,并称“在此情况下,第三季度High NA系统等EUV设备销售额达到38亿欧元,最大季度预订销售额约89亿欧元。”

ASML的High NV EUV设备开发路线图

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