AEC-Q200的环境试验条件及注意事项

AEC-Q200的环境试验条件  

AEC-Q200的环境试验条件，主要是依据MIL-STD-202与JEDEC22A-104规范来制定的，不同零件的试验温度除了不一样之外，其施加电源(电压、电流、负载)要求也会有所不同，高温储存属于不施加偏压与负载，但高温下的工作寿命是必要的，温度循环和温度冲击，它们的测试目的和手法是不同的，温度循环下的高低温的变化需要温变率的控制，温冲击就不需要了，偏高湿度是通常所说的高温高湿测试，湿度抵抗是湿冷冻测试；

 

试验条件注意事项：

 

1000h试验过程需在250h、500h进行间隔量测。

高温储存(MIL-STD-202-108)

薄膜电容、网络低通滤波器、网络电阻、热敏电阻、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：85℃/1000h；

电感、变压器、电阻：125℃/1000h；
变阻器：150℃/1000h；
钽电容、陶瓷电容、铝电解电容：最大额定温度/1000h。

高温工作寿命(MIL-STD-202-108)

网络低通滤波器、网络电阻：85℃/1000h；

EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：85℃/1000h/施加额定IL；
钽电容、陶瓷电容：最大额定温度/1000h/ (2/3)负载/额定电压；

铝电解电容、电感、变压器：105℃/1000h；

薄膜电容：1000h/(85℃/125%额定电压、105℃&125℃/100%额定电压；

自恢复保险丝：125℃/1000h；

电阻、热敏电阻、可变电容：125℃/1000h/额定电压；
可变电阻：125℃/1000h/额定功率；

变阻器：125℃/1000h/额定电压85％+ma电流；

陶瓷共鸣器：85℃/1000h/额定VDD+1MΩ，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容；

石英震荡器：125℃/1000h/额定VDD+1MΩ，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容；

温度循环(JEDEC22A-104)

薄膜电容、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：

-55℃(30min)←→85℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles；

 

钽电容、陶瓷电容、电阻、热敏电阻： -55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles；

铝电解电容：-40℃(30min)←→105℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles；

电感、变压器、变阻器、石英震荡器、自恢复保险丝：-40℃(30min)←→125℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles；

网络低通滤波器、网络电阻：

-55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles；

温度冲击(MIL-STD-202-107)

自恢复保险丝：

-40℃(15min)←→125℃(15min)/300cycles；

偏高湿度(MIL-STD-202-103)

钽电容、陶瓷电容：85℃/85%R.H./1000h/电压1.3～1.5V；

电感&变压器：85℃/85%R.H./1000h/不通电；

铝电解电容：85℃/85%R.H./1000h/额定电压 ；

EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：85℃/85%R.H./1000h/额定电压＆电流；

电阻、热敏电阻：85℃/85%R.H./1000h/工作电源10%；

自恢复保险丝：85℃/85%R.H./1000h/额定电流10%；

可变电容、可变电阻：85℃/85%R.H./1000h/额定功率10%；

网络低通滤波器&网络电阻：85℃/85%R.H./1000h/电压[网络电容(额定电压)、网络电阻(10%额定功率)]；

变阻器：85℃/85%R.H./1000h/额定电压85％+ma电流；

石英震荡器、陶瓷共鸣器：85℃/85%R.H./1000h/额定；VDD+1MΩ，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容；

薄膜电容：40℃/93%R.H./1000h/额定电压；

湿度抵抗(MIL-STD-202-106)

薄膜电容：(25℃←→65℃/90%R.H.*2cycle)/18h→-10℃/3h，每一cycle共24h，step7a&7b不通电；

上述各种检测均来自AEC-Q200实施标准，对于以上检测条件，华碧实验室均可提供相应的检测解决方案，希望对大家的检测有所帮助。