具有三维结构的高导热绝缘PI/BNNS@rGO复合薄膜

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来源 | Applied Surface Science
背景介绍
微电子器件的发展加快了网络信息传输的速度。然而,它也可能导致电子设备的功耗和加热能力要求显著增加。为了保证设备的可靠性和延长设备的使用寿命,高频电路板产生的热量必须通过热接口材料(TIMs)进行散热。理想的TIMs应具有高导热性、优异的电绝缘性、柔韧性和轻量化,并适应柔性电子等新兴技术。
六方氮化硼(hBN)是石墨烯类似物,具有良好的力学性能、优异的化学稳定性和热稳定性,以及超高的导热系数(200-600 W/mK),因此在聚合物基复合材料研究领域备受关注。研究结果表明,由于原hBN的聚集性和相容性较差,界面声子振动失配,导热途径不有效,因此hBN基复合材料的导热系数通常较低,不能满足高导热界面材料的要求。
由于具有较大的比表面积和丰富的边基,氮化硼纳米片BNNS在聚合物基质中的分散性和相容性方面往往比未剥离的hBN具有前所未有的优势。然而,剥离后的BNNS横向尺寸仅为100 nm,厚度达到10 nm。因此,制备厚度均匀、产率高的高质量BNNS对于制备具有高导热性能的柔性复合膜具有重要意义。
近年来,高性能PI纳米纤维薄膜在导热领域得到了广泛的研究。以及利用氧化石墨烯/膨胀石墨复合制备了具有高导热性的多层电磁干扰屏蔽柔性薄膜。根据其他研究结果表明,通过在BNNS之间建立桥梁来提高复合材料的导热性仍然是一个挑战。
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成果掠影
图6.PI纳米复合膜, PI/50BNNS纳米复合膜,PI/50BNNS@2.5rGO纳米复合膜的模拟与计算示意图。
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