800V高压DCAC驱动板IGBT的热仿真原创

AutoEuler

2026年2月1日 12:43

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一.技术参数

1.分析类型：稳态热仿真

2.材料：Cooler：ADC12

3.边界条件：Ambient temperature：85℃

Cooler face temperature:75℃

Air Convention:10W/(m²·K)

4.载荷：IGBT PowerLoss=30W/chip

Diode PowerLoss=10W/chip

二.仿真模型

800V高压DCAC驱动板IGBT的热仿真的图1

800V高压DCAC驱动板IGBT的热仿真的图2

三.仿真结果

800V高压DCAC驱动板IGBT的热仿真的图3

800V高压DCAC驱动板IGBT的热仿真的图4

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包含1个文件

Ansys Workbench 2025R1版本源模型文件模型包含详细的几何模型、网格划分设置、求解分析设置、仿真结果设置等具体步骤，可用于同类型仿真建模参考。

Rohm_TO247_IGBT_Thermal.wbpz

152.74MB

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