采用先进的‌SGT单元设计、符合‌RoHS标准的N沟道MOS管-LN050N100G 原创

场效应晶体管 (FET)是一种具有四个端子（栅极、源极、漏极和基板）的半导体器件。FET是一种单极器件，因为电流由一种类型的电荷载流子（电子或空穴）产生，具体取决于FET的类型（N沟道或P沟道），这与双极结型晶体管(BJT)不同，其中电流由电子和空穴同时产生。金属氧化物半导体FET (MOSFET)是FET的一类。MOSFET原理图符号有一个箭头，指示基板和通道之间的PN结的极性。

工采网代理的LN050N100G是一款‌100V N沟道增强型MOSFET‌，采用先进的‌SGT单元设计‌，具有低栅极电荷和低导通电阻特性，符合‌RoHS标准及无卤素要求‌，并经过100%ΔVDS、UIS及Rg测试验证。‌‌

N沟道增强型MOSFET的关键参数：

开启电压（Vth）：使器件导通所需的栅源电压较小值。不同型号的N沟道增强型MOSFET

具有不同的开启电压。

导通电阻（RDS(on)）：器件导通时漏极和源极之间的电阻，影响器件的功耗和效率。

较大漏极电流（ID(max)）：器件在特定条件下能够承受的较大漏极电流。

较大漏极-源极电压（VDS(max)）：器件能够承受的较大漏极-源极电压。

开关速度：包括开关上升时间和下降时间，影响器件在高频应用中的性能。

主要优势‌：

-采用先进的‌Trench MOSFET‌技术，具有低栅极电荷 (Qg) 和低导通电阻。

-适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、电机驱动、电源管理模块等。

-具备高可靠性与热性能优化。

极限值：

N沟道MOS管 - LN050N100G的特性：

漏源击穿电压(BV)‌：≥100V

较大功耗(Ptot)‌：≤174W

较大漏极电流(ID)‌：≤165A

导通电阻(RDS(ON))‌：

R_DS(ON)≦5.3 mΩ@ V_GS=10 V

R_DS(ON)≦7.5 mΩ@ V_GS=4.5 V

典型应用场景：

直流-直流转换器 (DC-DC)

无人驾驶飞机(无人机)电机驱动器

轻型电动汽车(LEV)驱动系统

服务器电源

电信基础设施电源