集成高／低侧MOSFET、驱动电路与多重保护机制于一体的半桥驱动器-SS6208 原创

半桥驱动电路是指使用两个开关器件（通常是MOSFET或IGBT）来控制电机的正向和反向运动。其中一个开关器件被连接到电源正极，另一个器件被连接到电源负极，通过控制两个开关的状态来控制电流的流向，从而控制电机的运动方向和大小。半桥驱动电路适用于只需要控制电机的正向和反向运动的应用。

工作过程：

上管导通、下管关断‌：电流从电源正极经上管流向负载，再返回地，负载两端电压接近母线电压。

下管导通、上管关断‌：电流从负载经下管流向地，负载两端电压接近0V。

死区时间‌：切换时需强制插入一段两管都关断的时间，防止上下管同时导通造成电源短路（直通）而烧毁器件。‌‌

由工采网代理的SS6208半桥驱动器采用单片集成技术，将高侧MOSFET、低侧MOSFET及其驱动逻辑一体化封装，以极简外围电路实现高达1MHz的开关频率和8A峰值电流输出，与离散组件解决方案相比，SS6208集成解决方案大大减少了封装寄生效应和板空间。为无线充电、电子烟及各类半桥应用提供了兼顾性能与紧凑度方案。

SS6208是一颗面向12V系统的集成半桥功率芯片，芯片内部同时集成高边、低边MOSFET以及对应的栅极驱动单元，采用DFN3×308L紧凑型封装；对比分立器件搭建的半桥电路，SS6208将驱动输出与功率开关之间的关键互连路径收缩至芯片内部，缩减PCB布板空间，降低布线带来的寄生电感、寄生电容，改善高频开关工况下的系统稳定性，提升整机转换效率。

当VCC低于规定的阈值电压时，UVLO电路可以防止发生故障。为待机模式设计的PIN EN可使芯片进入低静止电流状态，电池寿命长。驱动程序和mosfet已经为半桥应用进行了优化。通过一个较宽的工作电压范围，可以优化高侧或低侧MOSFET栅极的驱动器电压，以达到较佳的效率。内部自适应非重叠电路通过防止两个Mosfet的同时传导，进一步减少了开关损耗。

应用电路：

马达驱动芯片 - SS6208的特性：

持续输出电流：较大4A（额定），峰值可达8A

开关频率：较高1MHz，支持高频紧凑设计

逻辑输入电压：兼容3.3V和5V PWM信号

VCC供电范围：3.3V ~ 5.5V（逻辑与驱动电源）

VB功率输入范围：3.3V ~ 12V（功率级电源）

集成自举电路：内置自举二极管，仅需外接自举电容

自适应死区时间：内部电路自动优化，防止高低侧同时导通，降低开关损耗

欠压锁定（UVLO）：VCC低于阈值时强制关断输出，防止驱动不足

热关断保护：芯片过热时自动锁存，待冷却后恢复

待机模式：EN引脚拉低时进入低静态电流状态，延长电池寿命

封装形式：DFN3×3-8L，表面贴装，占板面积极小

工作温度范围：符合工业级温度要求（-40℃~+85℃）

电机驱动芯片 - SS6208的应用场景：

无线充电发射端：高频开关特性确保高效能量传输。

电子烟加热控制：快速PWM响应实现精准温控。

电机驱动：适用于小型直流有刷电机或步进电机。

DC-DC变换器：半桥拓扑的同步降压或升压转换。