群联潘健成：NAND控制芯片迎接1x纳米时代 垫高进入门槛

群联电子董事长潘健成19日表示，“NAND Flash控制芯片进入非常昂贵的1x纳米等级的晶圆制造阶段、加计3D NAND验证成本高于2D，从相关控制芯片设计业者的角度来看，这产业已经高高筑起了进入障碍。”

潘健成表示，NAND Flash正式进入3D制程发展，其相关控制芯片的晶圆制造制程则在近两年正式进入1x纳米时代，因此NAND Flash控制芯片的设计愈加复杂、所需要运用的人力资源等耗费远远高于过去。

以群联所开发出来的SSD控制芯片PS5012-E12来看，该颗芯片在研发人力、时间、设计工具、晶圆先进制程光罩费、3D NAND验证费…等等资源全数换算为可被评价的费用，总计超过1.55亿人民币，相较18年前群联初创业时的环境所需投入成本的多了好几倍。

当今快闪存储器的现况，对控制芯片设计业者而言，除了上述的军备战的竞争形成技术进入障碍，另一方面，NAND Flash制造之国际原厂相继提高自给设计的控制芯片案量，因此整体市场独立芯片厂的控制芯片的市场规模的成长幅度是低于储存容量需求的成长率。

所以，控制芯片取得的获利也变薄、这对刚刚要跨入快闪存储器IC设计这一行业者而言，是进入门槛被垫高。简而言之，潘健成强调，今天若只卖IC，这生意不好做，要赚钱变得更困难。

来源：钜亨网