一步电沉积法制备Ni3S2纳米片阵列作为高性能非对称超级电容器的电极

过渡金属硫化物因其较小的能带和较高的导电性被广泛应用于电极材料。其中硫化镍因其具有很高的理论容量，被认为是一种极具潜力的电容器电极材料。

最近，渤海大学许家胜课题组与吉林大学刘晓旸课题组合作在Science China Materials上发表文章，介绍了一步电沉积法制备了Ni3S2纳米片阵列超级电容器电极. Ni3S2纳米片彼此互连能够为电子传导提供快速通道, 有利于电子与离子传输, 提供了丰富的赝电容反应位点. 

图1 Ni3S2纳米片阵列的制备

采用不同电沉积次数探究了不同负载量的Ni3S2对其电化学性能的影响. 性能最好的Ni3S2电极在 1 A/g 下展示出 773.6 F/g 的单位比电容, 在 10 A/g 时具有84.3%的优异倍率性能. 组装的非对称超级电容器(Ni3S2//rGO)表现出优良的使用性能. 

图2 Ni3S2基超级电容器

这些结果表明了所制备的Ni3S2超级电容器电极材料具有广阔的应用前景. 电沉积法控制Ni3S2负载量的策略能够为电极材料制备提供一种新思路.

本工作近期发表于Science China Materials, 2018, doi: 10.1007/s40843-018-9361-0

来源：中国科学材料