基于comsol的温差发电仿真分析-TEC、TEG

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基于comsol的温差发电仿真分析-TEC、TEG的图3

(转载至百度百科

热电效应

1834年法国物理学家帕尔帖在铜丝的两头各接一根铋丝,在将两根铋丝分别接到直流电源的正负极上,通电后,发现一个接头变热,另一个接头变冷。这说明两种不同材料组成的电回路在有直流电通过时,两个接头处分别发生了吸放热现象。这就是热电制冷的依据。基于comsol的温差发电仿真分析-TEC、TEG的图4温差发电 半导体材料具有较高的热电势可以成功地用来做成小型热电制冷器。图1示出N型半导体和P型半导体构成的热电偶制冷元件。用铜板和铜导线将N型半导体和P型半导体连接成一个回路,铜板和铜导线只起导电的作用。此时,一个接点变热,一个接点变冷。如果电流方向反向,那么结点处的冷热作用互易。热电制冷器的产冷量一般很小,所以不宜大规模和大制冷量使用。但由于它的灵活性强,简单方便冷热切换容易,非常适宜于微型制冷领域或有特殊要求的用冷场所。热电制冷的理论基础是固体的热电效应,在无外磁场存在时,它包括五个效应,导热、焦耳热损失、西伯克(Seebeck)效应、帕尔帖(Peltire)效应和汤姆逊(Thomson)效应。一般的冷气与冰箱运用氟氯化物当冷媒,造成臭氧层的被破坏.无冷媒冰箱(冷气)因而是环境保护的重要因素.利用半导体之热电效应,可制造一个无冷媒的冰箱。这种发电方法是将热能直接转变成电能,其转变效率受热力学第二定律即柯诺特效率(Carnotefficiency)的限制.早在1822年西伯即已发现,因而热电效应又叫西伯效应(Seebeckeffect) [1]

塞贝克效应

塞贝克效应(Seebeck effect)又称作第一热电效应,是指由于两种不同电导体或半导体的温度差异而引起两种物质间的电压差的热电现象。一般规定热电势方向为:在热端电子由负流向正。在两种金属A和B组成的回路中,如果使两个接触点的温度不同,则在回路中将出现电流,称为热电流。相应的电动势称为热电势,其方向取决于温度梯度的方向。塞贝克效应的成因可以简单解释为在温度梯度下导体内的载流子从热端向冷端运动,并在冷端堆积,从而在材料内部形成电势差,同时在该电势差作用下产生一个反向电荷流,当热运动的电荷流与内部电场达到动态平衡时,半导体两端形成稳定的温差电动势。半导体的温差电动势较大,可用作温差发电器。

产生Seebeck效应的主要原因是热端的载流子往冷端扩散的结果。例如p型半导体,由于其热端空穴的浓度较高,则空穴便从高温端向低温端扩散;在开路情况下,就在p型半导体的两端形成空间电荷(热端有负电荷,冷端有正电荷),同时在半导体内部出现电场;当扩散作用与电场的漂移作用相互抵消时,即达到稳定状态,在半导体的两端就出现了由于温度梯度所引起的电动势——温差电动势。自然,n型半导体的温差电动势的方向是从低温端指向高温端(Seebeck系数为负),相反,p型半导体的温差电动势的方向是高温端指向低温端(Seebeck系数为正),因此利用温差电动势的方向即可判断半导体的导电类型。可见,在有温度差的半导体中,即存在电场,因此这时半导体的能带是倾斜的,并且其中的Fermi能级也是倾斜的;两端Fermi能级的差就等于温差电动势。

本模型是一个环状的PN节阵列结构,内外管壁保持一定温差。通过热电效应产生电流,具体见动图所示。

整体模型

基于comsol的温差发电仿真分析-TEC、TEG的图5

内部的PN结布置

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PN结截面图

基于comsol的温差发电仿真分析-TEC、TEG的图7

以下是平面TEC在不同内外温差下 ,输出功率和输出电压变化曲线、COP曲线等等。

QQ图片20211226151205.png

基于comsol的温差发电仿真分析-TEC、TEG的图9基于comsol的温差发电仿真分析-TEC、TEG的图10

开路电压,总阻值,输出功率等曲线图趋势展示。

基于comsol的温差发电仿真分析-TEC、TEG的图11

COP曲线:

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COMSOL温差发电塞贝克效应热电效应

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