相变存储器可靠性详解

举行日期：2010年7月15日
举行时间：上午10:00 - 11:30 (北京时间)
演讲专家：刘群 - 业务拓展经理
简介：刘群是美光业务拓展经理，负责嵌入式闪存产品在亚洲市场的推广业务。从2008年起，他在恒忆担任类似职务。此前，刘群曾在英特尔担任产品研发工程师、技术市场工程师和产品线经理，刘群毕业于上海交通大学，获工程学士学位。
问答专家：杨静雯 - 亚洲嵌入式事业部经理
简介：杨静雯现任美光在上海的亚洲嵌入式事业部经理，领导公司的亚洲产品营销团队，负责技术研发和业务推广，包括产品战略、定价策略、CSV实现、竞争分析、产品推广和技术支持。在恒忆时，她从2008年起担任类似职务。在加盟恒忆前，静雯是英特尔上海闪存产品部的产品工程师，后晋升为该部门的技术市场经理。杨静雯1996年毕业于上海大学电子通信专业。
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研讨会介绍
相变存储器的存储单元是由化合物存储单元和选通晶体管两部分共同组成。由于这一特殊结构，相变存储器在数据保持方面具有与擦写次数的不相关性，而与环境温度相关的特性。在写入次数方面，10~100倍于今天的NOR和NAND型的存储器。同时具有对读取和写入干扰的免疫性。
在本次网络研讨会中，我们通过实验数据和理论分析，向您介绍相变存储器的可靠性知识，带领您深入了解这一存储技术，帮助您更好的评估PCM对系统设计的影响。