Comsol基于氧空位的新型阻变存储器分析

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我的qq： 209870384有兴趣的可以加我，交流模型。

      RRAM基于双稳态电阻转换的阻性存储器（RRAM）作为集动态/静态随机存储器和浮栅存储器功能为一体的通用存储器，是NAND技术后的下一代非易失性存储（NVM）技术。

      目前，业界普遍认为RRAM是非易失性存储器下一轮竞赛中的领先者，这源自阻性存储材料丰富的物理特性及其独特的存储原理。阻性存储材料涵括了氧化物材料、硫系半导体材料、2D材料、有机聚合物材料。根据存储原理，这些材料可用以构建氧化还原型存储器、铁电隧道结存储器、Mott存储器、分子存储器和柔性存储器。其中，某些特有的存储原理与功能使这些存储器可拓展至多环节应用，在多领域交叉方面大显身手。

     此次使用Comsol求解了的阻变存储器氧空位仿真模型。该模型采用典型的MIM结构,结合电流连续性方程、焦耳热模型方程及氧空位迁移方程,详细模拟了热电耦合作用下氧空位导电细丝形成和断裂的动态过程，模拟了基于二元金属氧化物的Pt/Tio2/TiN结构的RRAM。

     通过仿真阻变存储器的set和 reset过程,将电场和温度作用下氧空位迁移运动过程展示出来。

主要控制方程：

1、氧空位迁移方程

       其中nD是氧空位浓度,该方程描述的是单位时间内,氧空位浓度的变化率等于扩散粒子流和漂移粒子流的散度加上单位时间氧空位的产生率。

2、电流连续性方程，其中电导率采用阿伦尼乌斯老化。

3、热传导和焦耳热方程

这是一个典型的氧空位计算迭代循环

以下是在电压循环过程中的  氧空位、温度、电压和电场模分布变化。

模型的I-V曲线展示出了一个旗型特征。

有兴趣的加我交流模型。