年产10万片项目投产，国产SiC进入快车道？

继三安湖南SiC项目后，最近又一项目正式宣布投产——国宏中宇山东项目一期项目开始启动生产，总投资7亿元，年产能超10万片/年。

该项目是国宏中宇第一个正式量产的项目，据透露，他们在融资和技术等方面都取得了实质性进展，上海、江苏等多个项目也有望进入发展快车道。

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首个生产基地投产

年产能超10万片

6月26日，山东国宏中能科技发展有限公司的碳化硅衬底片一期项目投产。

据介绍，该项目是国宏中宇在全国建成投产的首个生产基地，项目两期总投资额约为7亿元，总建筑面积4.44万平方米，项目全部投产后，碳化硅衬底年产能超10万片。

国宏中宇表示，在推进产业化项目布局，持续增加科研投入提升产品技术指标、质量与成品率的同时，近期该公司在融资工作方面也取得了实质性进展，因此，第一个生产基地的投产为企业迈上发展的快车道打下了坚实的基础。

早在2017年，中科钢研和国宏中宇就在北京举行了碳化硅产业化项目启动仪式，提出将在全国布局投资30亿元，打造国内最大的碳化硅晶体衬底片生产基地。

除了山东、江苏和安徽等项目外，今年4月7日，国宏中宇与上海宝山达成“一总部、一研究院、一生产基地”的合作方案，项目拟落地运营碳化硅项目。

国产碳化硅增速明显

携手共创美好未来

国宏中宇引用有关行业机构数据称，在新能源车、快充桩、5G通信等领域的拉动之下，2025年我国碳化硅衬底材料的年需求量将达到80万片，2020-2025年复合增长率为43.8%，远高于全球同期复合增长率（27.2%）。 届时，我国碳化硅衬底片出货量的全球占有率预计将从目前的8%上升至16%。

国宏中宇表示，“碳化硅产业发展前景无限，国宏中宇愿与合作伙伴携手发展共同打造碳化硅产业的美好未来！”

目前，山东国宏中能主要生产4英寸、6英寸4H N型导电碳化硅衬底片和4H半绝缘碳化硅衬底片，将能满足下游功率与射频芯片用户持续提升的质量与性价比需求。

据介绍，2020年国宏中宇的6英寸导电型碳化硅晶体和衬底片取得了关键指标的突破性进展，2021年将进一步提升工艺稳定性并进入工艺验证阶段。而这背后依托于中科钢研“第三代半导体材料制备关键共性技术北京市工程实验室”。

据了解，2017年3月，中科钢研与国宏华业等共同组建了“中科节能碳化硅生长技术重点实验室”，被北京市发改委批复为“第三代半导体制备关键共性技术北京市工程实验室”。

国宏中宇以碳化硅半导体材料制备的科技研发、产业化项目建设、产品生产与销售为主营业务，致力于推动中科钢研实验室的科研成果转化，使其更好地服务全球“碳中和”目标。

以国宏中宇速度

创中国制造品牌

据了解，该项目一期工程于2019年9月就开工建设，但在建设过程中遭遇“新冠”疫情等不利因素。

不过，国宏中宇积极采取了有效措施，全力推进项目建设：2020年5月完成一期厂房主体结构施工；2020年8月份开始进行厂务配套系统施工，2020年11月进入设备热调试阶段，2021年1月启动试生产，2021年6月项目按计划建成投产。

国宏中宇表示，这展现了科研创新、产业创业的“国宏中宇速度”与“河口速度”。

对于该项目发展目标，国宏中宇提出，要将该项目打造成为碳化硅衬底片重点生产制造基地、产业化技术研发与中试基地，积极适应国内国际双循环新发展格局，在第三代半导体行业打响“中国智造”品牌。 

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