市场 | 碳化硅二极管国产替代按下“快进键

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肖特基二极管,又称热载流子二极管,通过金属和半导体接触(肖特基接触)形成肖特基势垒,实现整流。与普通PN结二极管相比,肖特基二极管的反向恢复惯性非常低。因此,肖特基二极管适用于高频整流或高速开关。
碳化硅(SiC)是一种高性能的半导体材料,基于SiC的肖特基二极管(SiC Schottky Diode)具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在电力电子技术领域打破硅的极限,成为新能源及电力电子的首选器件。
(图片来源于网络)
因此SiC二极管在金牌电源、UPS电源、服务器电源等领域得到了大量应用,功率等级从几百瓦到几千瓦。使用的SiC产品规模主要是650V /6A、8A、10A、16A。
2.国产器件实现进口替代的第一步
众所周知,在电源等部分市场中,国产器件目前市占率已拥有较大比例。
下图就是SiC二极管在电源产品中的典型应用。650V的二极管产品一般采用TO-220的封装,通过绝缘片隔离,固定在电路中的散热片上,以实现良好的散热。
在这两个市场的应用中,国产器件使用率也正在逐年上升。目前国产的SiC产品主要以SiC二极管为主,各大国产碳化硅器件的供应商也都在加快这两个市场的产品验证与可靠性提升。下面给大家汇总分享下各国产碳化硅企业的二极管产品及市场情况:
基本半导体
前不久,基本半导体在创新日上,发不了最新的第三代碳化硅肖特基二极管产品。
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更高电流密度、更低Qc:第三代二极管具有更高电流密度、更低Qc,使其在真实应用环境中开关损耗更低。 -
更强浪涌能力:通过工艺及设计迭代优化,第三代二极管实现了更高的浪涌能力。 -
更低成本:更高的电流密度带来更小的芯片面积,使得器件成本较前两代二极管进一步降低。 -
更高产量: 使用6英寸晶圆平台,单片晶圆产出提升至4英寸平台产出2倍以上。

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