SiC器件开关动态测试挑战及应对方法

来源：碳化硅芯观察

第三代半导体器件毫不夸张的讲为电力电子行业带来了革新，基于其高速，小体积，低功耗越来越广泛应用在汽车、工业级消费电子行业。

我们先来看看不同技术的功率器件的区别，下图可以看到传统的Si基的IGBT或者MOSFET管要么分布在高压低速的区间，要么分布在低压高速的区间，市面上传统的探测技术可以覆盖器件特性的测试需求。但是第三代半导体器件SiC 或GaN的技术趋于成熟，因为其高速，高耐压，抗高温，体积小，低功耗被越来越多的应用在电源转换产品上，从性能区别于传统Si基的功率器件却大大扩展了分布的区间，覆盖以往没有出现过的高压高速区域，这就对器件的测试提出非常严苛的挑战。

下文是重庆大学曾正教授在今年演讲文稿，非常清晰的解释了SiC

器件开关动态测试的一系列挑战及应对方法，希望对各位朋友的日常工作有

帮助！

曾正：

重庆大学副教授，博士生导师，主要研究方向为SiC功率器件的封装集成与系统应用，获教育部自然科学一等奖、北京市科技进步二等奖、GE基金会科技创新奖，入选中国高被引学者、全球前2%顶尖科学家、重庆英才青年拔尖人才。