55亿！又一企业将建8吋SiC&GaN等产线

前段时间，日本富士电机宣布投资38亿扩大碳化硅产能（.点这里.），最近东芝半导体也宣布要扩产。

2月8日，东芝召开了经营战略简报会，宣布将分拆为2家公司，并出售非核心资产。同时，东芝还透露，将投资55亿用于功率器件扩产，其中包括建设8英寸的碳化硅和氮化镓生产线。

将建8吋化合物线

24年量产汽车碳化硅产品

据东芝器件与存储总裁佐藤裕之介绍，2021-2025年他们将投资约2600亿日元（ 约143亿 人民币）用于 扩产 ，其中未来5年将投资1000亿日元（约55亿人民币），用于功率半导体的研发，届时 硅功率半导体 的产能将是2020年的 1.7倍 。

此外，东芝还将计划建设 8英寸 化合物半导体生产线，重点开发 SiC和 GaN器件 。

据东芝器件与存储高级常务董事兼总工程师森诚一介绍，东芝计划在2024年量产 车载充电器 用SiC MOSFET产品。“目前，SiC MOSFET成本高于硅基IGBT，但一旦SiC的技术更为完善，能够降低成本，SiC MOSFET的采用率就会提高，我们也在加快布局。”

森诚一还详细介绍了SiC和GaN产品的现状和技术发展。

据了解，东芝已经量产了搭载耐压 3.3kV SiC MOSFET 和 肖特基势垒二极管的模块产品 ，主要用于日本 铁路逆变器 。

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为保障 铁路碳化硅器件 的可靠性，森诚一认为采用低缺陷水平的碳化硅晶圆，同时需要在器件结构设计和测试技术方面进行优化。东芝主要是向 昭和电工 采购低缺陷的 SiC外延片 ，并于2021年9月与该公司签订了长期供应合同。

东芝未来的SiC器件将会采用一种所谓的 “in-process epi” 的外延生长工艺，该工艺是与NuFlare Technology（ 钮富来 ）联合开发。

GaN方面 ，东芝计划在2023年开始提供结合 GaN和硅功率MOSFET的产品 。据说，东芝正在开发 第二代 GaN产品。

钮富来：营收将达49亿

东芝还介绍了 子公司钮富来 的情况。

据了解，钮富来将专注于电子束掩模光刻设备和 外延生长设备 。2025年钮富来的业务营收将从2021年的410亿日元（约22.59亿人民币）提高到890亿日元（约49亿人民币）。

森诚一表示，钮富来的 SiC和GaN外延生长设备 是一种独特的方法，具有 低缺陷密度、高均匀性 和在薄膜上 高速成膜 的特点表面。“即使是8英寸晶圆，我们也可以保持很高的成膜速度，这将成为未来的主流，并可以实现与6英寸晶圆相同的产量。”