全球范围内的光伏行业正以良好的势头发展着，光伏逆变器也逐渐成为氮化镓最大的应用领域之一。近日，又有一个专注开发用于光伏逆变器的GaN技术的研究团队取得新进展，其搭载了英飞凌的首项GaN技术，并有望尽快投入实际使用。GaN-HighPower光伏逆变器搭载英飞凌GaN技术4月7日，据外媒报道，由英飞凌、SMA Solar Technology等联合开展的GaN-HighPower项目目前正处于稳步进行阶段，而该项目的光伏逆变器氮化镓新技术正在开发和实际测试中。
据悉，GaN-HighPower项目由政府资助，并得到德国联邦经济事务和气候行动部 (BMWK) 约 380 万欧元（约2600万人民币）的资金支持。目前，该项目正由IEE研究所协调测试，研究开发新组件并优化系统，使其尽可能高效运转并尽快投入使用。SMA Solar Technology AG 是世界领先的光伏和电池逆变器制造商之一，SMA 创新中心电力电子负责人 Klaus Rigbers 博士表示，GaN-HighPower联合研究项目是开发基于氮化镓半导体的电源转换器，目的是为光伏应用准备下一代具有成本效益、资源节约和高效的转换器，以降低成本和重量，同时保持高效率。值得注意的是，英飞凌将负责这个光伏逆变器项目的氮化镓半导体技术研究。英飞凌公司工业电源控制部副总裁 Peter Friedrichs 博士表示，此前GaN 技术的应用仅限于更小的功率范围，但目前他们已经证明 了GaN 半导体比碳化硅和传统的硅组件更能实现更快、更高效的开关过程。据悉，GaN-HighPower项目研究人员的目标是开发具有140 kHz、超过100 千瓦高功率的串式逆变器，这样就可以节省外壳、散热器和电感元件的原材料，最终也降低了逆变器的成本和重量。MicroGaN GmbH致力开发GaN-on-Si电子元件据行家说三代半风向了解，德国还有一个团队也在研发氮化镓光伏逆变器。早在2012年，德国乌尔姆大学衍生公司MicroGaN GmbH团队就与博世、英飞凌的开发部门合作，共同研究开发GaN-on-Si电子元件，目标是将其将应用于电信、消费电子、汽车以及光伏领域的电源系统。该团队表示，这些“快速、小型、高功率密度开关”的氮化镓器件可用于太阳能逆变器，以降低设备成本并提高太阳能发电量。在2010年，MicroGaN GmbH就与Diotec Semiconductor AG达成合作，共同开发设计600V的氮化镓整流器器件，这种器件非常适合高频开关电路，例如功率因数校正 (PFC) 和逆变器电路。它们提高了PFC效率，尤其是在部分负载条件下，驱动器和太阳能逆变器的功率损耗可以显著降低。
2022年4月22日 11:43
