溶液法制备低电压及高性能非晶GaSnO薄膜晶体管

图1 GaSnO TFT器件及其性能 

作者采用高 k 值的Al2O3薄膜作为介质层，将上述优化好的GaSnO薄膜作为沟道层，制备了GaSnO/Al2O3薄膜晶体管。实验研究发现，器件的性能得到了显著的提升，工作电压仅为 2 V， 最大场效应迁移率为 69 cm2 V−1 s−1， 阈值电压为 0.67 V， 电流开关比为1.8×107。

溶液法制备的非晶GaSnO薄膜晶体管可能会促进高性能无铟TFT器件以及低功耗、低成本电子器件的开发。

该研究成果最近发表于Science China Materials, 2018, doi:10.1007/s40843-018-9380-8。