硅-二氧化硅界面物理_10072298.pdf

节选段落一：
[General Information]
书名=硅-二氧化硅界面物理
作者=
页数=195
SS号=10072298
出版日期=
封面页
书名页
版权页
前言页
目录页
第一章 半导体表面空间电荷层的基本性质
1.1 表面空间电荷层及其电场、电荷
密度和电容
1.2 表面空间电荷层的六种基本状态
1.3 表面过剩载流子浓度、表面电导
、沟道电导
1.4 表面散射和表面迁移率
1.5 表面量子化效应
第二章 MOS结构的电容-电压特性
2.1 用近似方法分析理想MOS结构
的电容-电压特性
2.2 实际MOS结构的电容-


节选段落二：
电压特
性
2.3 不均匀掺杂衬底MOS结构的电
容-电压特性
2.4 禁带中深能级对MOS结构电容
-电压特性的影响
2.5 MOS结构电容-电压特性的几
种理论模型
第三章 硅-二氧化硅系统的电荷和陷阱
3.1 二氧化硅层中的可动离子电荷
3.3 硅-二氧化硅界面的界面陷阱电
荷
3.4 氧化物陷阱电荷
3.5 二氧化硅层上的离子
第四章 硅-二氧化硅界面的结构、杂质和缺陷
4.1 硅-二氧化硅界面过渡层的微观
结构
4.2 硅-二氧化硅界面杂质的性质
4.3 硅-二氧化硅界面附近的缺陷


节选段落三：
-电压特性�
2.1 用近似方法分析理想MOS结构的电容-电压特性�
2.2 实际MOS结构的电容-电压特性�
2.3 不均匀掺杂衬底MOS结构的电容-电压特性�
2.4 禁带中深能级对MOS结构电容-电压特性的影响�
2.5 MOS结构电容-电压特性的几种理论模型�
第三章 硅-二氧化硅系统的电荷和陷阱�
3.1 二氧化硅层中的可动离子电荷�
3.3 硅-二氧化硅界面的界面陷阱电荷�
3.4 氧化物陷阱电荷�
3.5 二氧化硅层上的离子�
第四章 硅-二氧化硅界面的结构、杂质和缺陷�
4.1 硅-二氧化硅界面过渡层的微观结构�
4.2 硅-二氧化硅界面杂质的性质