技术 | IGBT模块结构及老化简介

🕐 4月，关于车规级功率半导体，这些点 全！都！要！看！

导读：对于工程设计人员来讲，IGBT芯片的性能，可以从规格书中很直观地得到。但是，系统设计时，这些性能能够发挥出来多少，就要看“封装“了，毕竟夏天穿着棉袄工作任谁也扛不住，因此，对于怕热的IGBT芯片来讲，就是要穿得“凉快”。

电动汽车逆变器的应用上，国际大厂还是倾向于自主封装的IGBT，追求散热效率的同时，以最优化空间布局，匹配系统需求。

• 晶圆生产：包含硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型三个步骤，目前国际主流是8英寸晶圆，部分晶圆厂12英寸产线逐步投产，晶圆尺寸越大，良品率越高，最终生产的单个器件成本越低，市场竞争力越大
• 芯片设计：IGBT制造的前期关键流程，目前主流的商业化产品基于Trench-FS设计，不同厂家设计的IGBT芯片特点不同，表现在性能上有一定差异
• 芯片制造：芯片制造高度依赖产线设备和工艺，全球能制造出顶尖光刻机的厂商不足五家；要把先进的芯片设计在工艺上实现有非常大的难度，尤其是薄片工艺和背面工艺，目前这方面国内还有一些差距
• 器件封装：器件生产的后道工序，需要完整的封装产线，核心设备依赖进口
  
  

IGBT芯片

IGBT封装

单管功率模组的散热原理与模块类似。

Model 3的SiC单管与散热器的焊接采用银烧结的方式，与Model X相比，显著提高了功率模块散热路径的散热效率和可靠性

总 结

为了更好的链接产业链上下游，方便各位会议现场进行更多的资源互通，我们将在4月12日上午9点后组织商务洽谈环节！希望各位嘉宾，来有所获。

ps:不在表格里的客户不要惊慌，这份是第一批次的安排，活动过程中每半小时进行一次轮换交流，详细安排可与主办方沟通。

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