市场 | 谈谈中国光刻机14纳米的进度

半导体材料与工艺设备

2021年7月22日 14:57

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先说台积电的历史，大约2011年刚开始做出来28纳米，2年后量产成熟；2015年实现14/16纳米量产。三星，也是2015年14/16纳米量产。

台积电从28纳米以及14纳米和7纳米的经验教训，可以缩短我们的进化时间。

中国大陆的中芯国际，全部洋q洋炮，用的ASML光刻机，在2019年实现的14纳米量产。

我们国产的光刻机分两种：

1、上海微电子，造28纳米芯片的光刻机，在今年，2021年会交货，2022年能在芯片厂达成量产。这个不能完全“去美”化。估计，其进化到14纳米，还得2-3年，也就是2024-2025年能够量产。（不叫28纳米光刻机，而是193纳米的光源，配合各种处理手续，可以造65n纳米、40纳米、28纳米等各种制程芯片）

2、华虹旗下的上海集成电路研发中心（ICRD），就是完全“去美”化的28纳米光刻机，估计是2024年交货，2025-2026年能在芯片厂达成28纳米量产。但进化到，完全“去美”化的14纳米量产，得要等到2027-2028年。

DUV是指 193nm波长的那批光刻机，分干式和液浸式。基本上液浸式一次曝光可以搞定45-28的工艺，再往下，例如14纳米和7纳米，是依然用这种光刻机的采取多重曝光技术实现。台积电和三星，用DUV生产14纳米7纳米，都是如此手段。

在先进光刻设备方面，清华大学与德国联邦技术学院合作，不仅提出并验证了一种新型粒子加速器“稳态微聚束”的实验演示，而且还验证了SSMB的工作机理。“稳态微聚束”可以覆盖到光刻机所需的EUV波段，大概率可以适用于最先进的EUV光刻机设备。

来源：通信圈

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