英特尔CEO：摩尔定律回来了

摩尔定律是英特尔联合创始人戈登摩尔 (Gordon Moore) 提出的衡量处理器稳定进展的指标，这在近年来受到了打击。但它正在卷土重来，英特尔首席执行官 Pat Gelsinger周三表示。

“摩尔定律仍然有效，” Pat Gelsinger在公司的在线创新日活动上说。“今天，我们预测我们将在未来十年保持甚至比摩尔定律更快。”

这是该公司的一个大胆声明，该公司在过去五年左右的时间里一直在努力推进其芯片制造，并且在与其他两家顶级芯片制造商台湾半导体制造公司和三星的竞争者，丢去了其领导地位。这个声明显示，英特尔愿意为夺回其地位而奋斗，并试图为低迷的处理器业务注入新的活力。

严格来说，摩尔定律是 1965 年（1975 年有所更新）的观察结果，即处理器上的晶体管数量每两年翻一番。这不是物理定律，而是小型化经济学的反映：通过改进制造，可以在芯片上构建更多电路，使它们更强大，并为下一轮创新提供资金。

但随着研究和制造成本越来越高，小型化已经步履蹒跚。芯片元件达到原子级，功耗问题限制了时钟速度，使芯片处理步骤保持同步。 

因此，如今人们经常使用摩尔定律来指代性能和功耗的进步以及在芯片上更密集地封装更多晶体管的能力。

不过，Gelsinger 指的是传统定义，指的是处理器上晶体管的数量——尽管处理器可以由多个内置在单个封装中的硅片组成。“我们预计曲线的弯曲速度甚至会超过每两年翻一番的速度，”他说。

如果这是真的，那将意味着英特尔有机会赶上竞争对手，Gelsinger 承诺的这一时刻将在 2024 年实现。英特尔努力从其 14 纳米制造工艺转向 10 纳米工艺，而台积电和三星则保持了更好的进展。

除了封装，Gelsinger 还指出了他预计将有助于英特尔重新夺回其领导地位的两项主要发展。首先是 RibbonFET，这项技术更广泛地称为全域栅 (gate all around) 或 GAA。它转换晶体管，使电流在一堆薄带状半导体中流动，这些半导体完全被栅极材料包围，栅极材料可以打开和关闭电流。

其次是英特尔的 PowerVia，更广泛地称为背面供电。这为芯片制造增加了新的处理步骤，但意味着晶体管从一侧汲取电力，同时连接到另一侧的数据通信链路。今天的芯片试图将这两种功能塞进一侧，增加了复杂性并限制了小型化。

同样关键的是采用极紫外芯片制造设备，该设备使用较小波长的光将晶体管电路蚀刻到硅片上。升级极其昂贵，台积电和三星在转向 EUV 方面击败了英特尔，但升级简化了制造，否则需要更多步骤。

英特尔还承诺将率先升级到高数值孔径 EUV。这是英特尔计划在 2024 年追赶之后，在 2025 年超越台积电和三星的计划的又一步。

来源：内容来自半导体行业观察（ID：icbank）编译自「CNET」。