罗海辉：高功率容量压接式IGBT关键技术

 罗海辉，博士，中国中车首席技术专家，现任株洲中车时代半导体有限公司常务副总经理兼研发中心主任。长期从事IGBT和碳化硅功率器件技术研发与产业化工作，带领团队构建全电压系列IGBT产品技术平台并为轨道交通、新能源汽车、工业和输配电等领域提供功率半导体器件解决方案。入选“国家重点领域创新团队”，核心参与项目“高压大电流IGBT芯片关键技术及应用”并荣获2019年国家技术发明奖二等奖（排名3/6），获省部级科技奖5项，通过省部级科技成果鉴定4项。申请发明专利100余项，其中46项发明专利已授权。在国际会议、国内外核心期刊发表论文40余篇。