[仿真分享]利用CST的RLC求解器提取IGBT的局部寄生参数

本文摘自微信公众号：CST电磁兼容性仿真

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最近有同学问小编CST是否可以提取3D模型的局部寄生参数。其实CST官方里面写了好几篇关于寄生参数提取的文章。而且CST的library里面也有相关案例。正好小编最近也在摆弄IGBT的模型。那么小编今天就来举个栗子，分享一个利用CST的提取IGBT的局部寄生参数。

因为我们要提取的是局部寄生参数，所以这里不能用CST的高频工作室，如果用高频工作室的S参数去提取寄生参数，那么提取的就不是局部的寄生参数了，而是环路的寄生参数。所以这里我们需要用到CST里面低频工作室的RLC求解器。

首先建立仿真项目的时候如图所示

然后选择Home-->simulation-->Partial RLC Solver

导入IGBT模型。如图所示。注意：如果要把IGBT模型的管脚也加入到寄生参数提取里面，那么管脚的材料不能用PEC，我这边改成铜了。

边界条件全部设置为电壁

选择Sources and Loads-->RLC Node

小编这边选择仿真这个IGBT模块下桥的其中一个IGBT裸die和反向续流二极管的寄生参数，如何建立Node，可以去CST官网去找方法，写的很详细，没必要再讲一遍。如图，这些绿色的点就是我建立的Node，分别设置了IGBT的集电极和栅极这两路的寄生参数提取。

在求解器设置里面设置pair，代表两个Node的进出关系，如图

求解得到：

IGBT上走线，包括绑定线，铜层，引脚的寄生电感和电阻如图，这里不是任意两个Node之间的寄生电感和电阻。

寄生电容如图，这里仿得结果是任意两个Node之间的寄生电容。

那么我们的RLC局部寄生参数的提取，这一小部分的仿真工作就完成了，如果要把整个IGBT的模型的寄生参数提取出来，那这个工作量是真的不小。没有办法只能一个一个来。九层之台，起于垒土。