C_C复合材料预氧化及SiC纳米线改性硅基陶瓷涂层研究.pdf

节选段落一：
在 C/C基体与涂层之间构造纳米线增韧缓冲
层，将进一步缓解 C/C复合材料表面包埋浸渗法制备的硅基涂层因热膨胀失配
引起的涂层易开裂及化学气相沉积法制备的硅基涂层与基体界面结合力较弱的
问题，旨在提高 C/C基体表面超高温陶瓷涂层的防氧化性能，有望使 C/C复合
材料更好地应用于航空航天领域。
1.5 主要研究内容
本课题主要研究了 C/C复合材料预氧化及原位生长 SiC纳米线对其硅基陶
瓷涂层性能的影响。通过控制预氧化处理及原位生长 SiC纳米线工艺，在 C/C
第 1章 绪论
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复合材料表面获得了具有一定深度且纳米线深入内部的孔隙结构，为后期涂层渗
入提供空间。


节选段落二：
界面处 SiC纳米线增韧的过渡层一方面提高了涂层/基体间的界面结合，
另一方面缓解了涂层/基体间的热膨胀系数不匹配，从而减小了 CVD-SiC涂层中
裂纹的数量和尺寸，增强了涂层的抗热震性能。
第 5章 C/C基体预氧化及 SiC纳米线对 SiC-MoSi2- ZrB2涂层微观结构及性能的影响
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第 5章 C/C基体预氧化及 SiC纳米线对
SiC-MoSi2-ZrB2涂层微观结构及性能的影响
5.1 引言
硅基陶瓷（如 SiC、MoSi2）具有较高的熔点及优异的高温稳定性，在高温
有氧环境下可形成玻璃态 SiO2保护膜[93, 114]。


节选段落三：
本章通过在 C/C基体与 SiC-MoSi2-ZrB2涂层之间构造纳米线增韧过渡层，进一
步缓解 C/C复合材料表面包埋法制备的硅基涂层因热膨胀失配引起的开裂问题。
本章以经过不同预处理的 C/C 复合材料为基体，采用包埋法在其表面制备了
SiC-MoSi2-ZrB2 抗氧化涂层，研究了 C/C 基体预氧化及 SiC 纳米线的引入对
SiC-MoSi2-ZrB2涂层微观结构及性能的影响。