声滤波器（二）声场辐射，你可以增加了一个旁路的赫姆霍兹共鸣腔

之前谈到了一种声场辐射的滤波器。

声滤波器（一）如何形成360°的全方位声场覆盖

今天再介绍另一种思路。 其理论思路和上一种是一样的。都是增加了一个旁路的赫姆霍兹共鸣腔。 对消除前腔的谐振或者振膜分割振动都是有效的。

以下是Bose公司提出的一个专利。是用到号角类压缩高音上的。

原音箱模型：

下图中在高音的折环部分增加了一个腔体。部件216是声阻部件。声阻可以由抵抗空气流材料，比如屏障类或泡沫类材料构成。部件214是附加的腔体，其尺寸根据需要修正的频率点来决定。

谐振拐点公式：

其中R是声阻值，V是腔体容积

下面是Bose公司做的一些实验数据：

固定腔体容积，改变屏障声阻：

固定屏障声阻，改变腔体容积：

可以很明显看出，部件216的声阻值变化对辐射的频率响应影响很大

也可以采用无源辐射器

等效电路示意

实验数据

还有其他多种形式：