等离子体刻蚀.ppt

节选段落一：
等离子体诱导损伤 包括带能离子、电子和激发的等离子体可引起对硅片上的敏感器件引起等离子体诱导损伤。
颗粒污染 等离子体在硅片表面附近产生的颗粒。
3）刻蚀的微观机理
刻蚀 （中文字面的意思：
刻，物理的作用，用刀刻（宏观上），用有粒子动量(力) 去撞（微观上），F=dP/dt, P=mu;
蚀，化学的作用，腐蚀物体（宏观上），被激活的分子或原子和目标物质的分子发生反应，异化掉该物质（微观上）。


节选段落二：
刻蚀气体是SF6，钝化气体为C4F8，C4F8在等离子体中能够形成氟化碳类高分子聚合物，它沉积在硅表面能够阻止氟离子与硅反应。刻蚀与钝化5-15s转换一个周期。
Bosch 工艺就是在反应离子刻蚀过程中不断在边壁上沉积抗刻蚀层，或边壁钝化（side wall passivation）。刻蚀气体是SF6，钝化气体为C4F8，C4F8在等离子体中能够形成氟化碳类高分子聚合物，它沉积在硅表面能够阻止氟离子与硅反应。刻蚀与钝化5-15s转换一个周期。


节选段落三：
在恒定的气压下，加到等离子体中的功率增加，更多的气体分子处于激发态，即活性基增加，同时电离加强，等离子体密度增加；
随着功率的上升，等离子体鞘的电势增加，增强了离子的定向轰击能力；这些都利于刻蚀速率的上升。
缺点是各向异性虽然增强了，但离子轰击会增加掩膜的损失，降低了掩膜的抗刻蚀比。
ICP射频功率
增加输入功率刻蚀速率上升。
ICP射频源加在在腔室的上部，同样提高了加到等离子体中的功率增加，更多的气体分子处于激发态，即活性基增加，同时电离加强，等离子体密度增加，但对离子的定向加速没有直接的贡献。