电力电子

推挽变压器代换要对哪些参数？ 一句话：推挽变压器找替代料，核心对五项——匝数比、初级电感量、DCR、隔离耐压、工作温度。五项都对上，再确认封装焊盘一致，才算真正的 pin-to-pin 替代。 为什么是这五项？ 推挽变压器多配 SN6501、VPS8701 这类推挽驱动芯片，做 2W 以内的隔离电源。匝数比直接决定输出电压，对不上电路就没法用；初级电感量决定磁化电流，偏小容易发热；DCR 影响效率

今日16:00，Ansys官方『电磁兼容方案与应用实践更新』研讨会主要介绍详解 Ansys 全套 EMC 仿真工具，覆盖多行业多层级电磁兼容仿真案例与软件新版更新。 时间：7月21日（星期二），16:00-17:00 内容简介： 本场网络研讨会将介绍Ansys EMC仿真解决方案，包括HFSS/Maxwell/SIwave/Q3D等AEDT模块以及EMC Plus软件在功率电子、汽车电子、通信家电

隔离电源输出电压偏低怎么排查？ 隔离电源输出偏低，九成出在"压降没算够"：先量输入电压是否偏低，再依次核对整流管压降、绕组 DCR 带载压降和 LDO 压差是否被匝数比预留覆盖。开环推挽方案没有反馈补偿，任何一处压降超预期，都会原样体现在输出上。 为什么开环方案对压降这么敏感？ SN6501、VPS8701 这类推挽方案的输出电压 = 输入电压 × 匝数比 − 各级压降，中间没有闭环回路帮你补偿。

推挽变压器是什么？ 推挽变压器是配合推挽驱动芯片（如 TI SN6501、源特 VPS8701）使用的小功率 DC-DC 隔离变压器：两个对称的初级半绕组轮流通电，把直流"斩"成高频方波再隔离变压，常用来给 CAN、RS485 收发器和数字隔离器提供 1~3W 的隔离电源。 它是怎么工作的？ 推挽芯片内部有两个开关管，交替把带中心抽头的双初级绕组的两端拉到地，磁芯于是被正、反两个方向轮流磁化，相当

反激变压器为什么要开气隙？ 因为反激变压器本质是“耦合电感”，要先把能量存进磁芯、再放给次级；高磁导率的铁 氧体磁芯本身存不了多少能量，在磁路里开一段气隙，才能大幅提高储能能力、防止磁芯 饱和。 反激和普通变压器差在哪？ 普通变压器（比如网络变压器）初级次级同时导通、实时传能，磁芯只当耦合媒介，不负责存 能。反激变压器初级次级从不同时工作：开关管导通时，电流流过初级绕组，能量以磁场形式 存进磁芯，

EP13变压器能做多大功率？ EP13是磁芯外形规格，不对应固定瓦数——功率由绕组设计决定。 EP13到底指什么？ “EP”是磁芯形状系列，“13”是尺寸代号（宽约12.7～13mm）。EP磁芯圆形中柱、外壳三面包裹，屏蔽好、漏磁小，所以常用于PoE、通信电源这类对EMI敏感的场合。骨架必须和磁芯配套，配EP13磁芯的骨架顺口也叫“EP13骨架”（卧式/立式、贴片/插件、8脚/10脚多种变体），绕

随着国内可控核聚变研究的不断深入，场反位形（FRC）路线因其结构紧凑、工程化潜力大，正成为各大科研院所与民营聚变企业重点攻关的方向。近期，国内多条FRC实验装置在等离子体形成与压缩阶段取得重要进展，其背后的核心支撑——全栈式电源系统的国产化替代也迎来了关键节点。

摘要：电流互感器（Current Transformer, CT）是电力监控、电机控制、储能变流器及BMS电池管理系统中实现非接触式电流采样的核心器件。相比分流器方案，CT天然具备电气隔离、低功耗损耗和强抗干扰能力，尤其适合高电压、大电流和需要隔离耐压的场合。然而，设计人员常面临匝比精度不足导致采样误差、小电流下相位偏移过大、以及磁芯饱和引发的非线性失真等问题。本文从电流互感器的基本工作原理出发，

摘要 一体成型电感是 DC-DC 电源的主力储能元件，选型看电感值、DCR、饱和电流（ISAT）与尺寸：大电流选大 ISAT、低 DCR 控温升，小型化选小封装。可对照沃虎 WHYT/WHYTA/WHYTP 系列，如大电流 WHYT1030（ISAT 至 33A）、WHYT1770、小封装 WHYTA0412、WHYTP0320。料号均为沃虎真实型号，具体以规格书与送样为准。 一、先看全貌 DC-

CST与CT：电流互感器的两种视角 在电力系统中，我们常听到“CT”和“CST”这两个词。虽然它们常被混为一谈，但在工程实践中，两者有着明确的定位和分工。 什么是CT？ CT是电流互感器（Current Transformer） 的简称，是电力系统中应用最广的电流检测设备。它的核心功能是将一次侧的高电流，按固定比例转换为二次侧的标准小电流（通常是5A或1A），供测量仪表、保护装置使用。 什么是CS

来源：阿基米德半导体 IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管，特点是可以使用电压控制、耐压高、饱和压降小、切换速度快、节能等。功率模块是电动汽车逆变器的核心部件，其封装技术对系统性能和可靠性有着至关重要的影响。 传统的单面冷却功率模块一直是汽车应用中最常见的封装结构之一。传统的IGBT功率模块主要由IGBT芯片，氧化铝覆铜陶瓷基板，封装互连材料，键合线，电连接端子等组成 图1传统单面冷却IGBT封装结构

来源 | 各公司官网，网络 氮化铝具有一系列优良特性，核心优势特性为优良的热导性、可靠的电绝缘性、以及与硅相匹配的热膨胀系数等。它既是新一代散热基板和电子器件封装的理想材料，也可用于热交换器、压电陶瓷及薄膜、导热填料等，应用前景广阔。 根据 Maxmize Market Research 数据，2021 年全球陶瓷基板市场规模达到 65.9 亿美元，预计 2029 年全球规模将达到109.6 亿美

来源 | Fagen Wasanni 绝缘栅双极晶体管（IGBT）是许多现代电子设备的关键组件，从电动汽车到可再生能源系统。然而，随着这些设备变得越来越强大和紧凑，管理它们产生的热量已成为一项重大挑战。这就是IGBT冷却的最新进展，特别是针翅片散热器的使用发挥作用的地方。 IGBT产生热量是其操作的副产品。如果这种热量没有得到有效管理，可能会导致设备故障、效率降低和寿命缩短。传统的冷却方法，如强制

现在很多单片机都有ADC功能了，10位或者12位的，使用ADC测量电压是很方便的，测量电阻阻值的话可以使用欧姆定律进行分压然后测量分压后的电压即可计算出电阻阻值，最简单的电阻测量电路如下图： 这时候测量点的电压计算公式为：Vo=R2 / (R1 + R2) * Uref。 这是最简单的测量计算方法。但是因为简单也会导致不少小问题，比如如果R1取值为2K，Uref为5V，而R2的阻值范围在5到10欧

来 源：芯智云电子分销 01 什么是MOSFET? 场效应管(MOSFET)也叫场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力，而且具备输入电阻高、噪声小、功耗低、驱动功率小、开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点，MOSFET在组合逻辑电路、放大器、电源管理、测量仪器等领域应用广泛。MOSFET按导电沟道可分为 P 沟道和 N 沟道，同时又有耗尽型和增强型之分，目前市场主要应用

电感元件上电流不能突变。(电感两端电压撤出后，电流不会立即消失，这样就会产生反向电动势) 电感是一种储能元件，用在LC振荡电路、中低频的滤波电路，DC-DC能量转换等等，其应用频率范围很少超过50MHz。 01 主要参数 ①电感值范围：1-470uH ②直流电阻：有多种直流电阻可供选择，电感值越大，对应的直流电阻也越大。一般信号用电感，其直流电阻比高频信号用电感和电源用电感大一些，最小的直流电阻一

AEC-Q101标准是用于分立半导体器件的，标准全称：Failure Mechanism Based Stress Test Qualification For Discrete Semiconductors，基于分立半导体应力测试认证的失效机理，名字有点长，所以一般就叫“分立半导体的应力测试标准”。现在的Rev E版本是2021.03.01刚发布的最新版。 AEC-Q101认证包含了分立半导体元

来源 | Materials Today Physics 01 背景介绍 随着科技的飞速发展，电子器件逐渐朝着微型化、集成化的方向发展，因此给电子器件带来了高的功率密度，高功率密度导致了器件发热严重，如果不采取有效的手段可能会导致热失控的发生。因此热管理材料以及技术逐渐开始成为人们重点关注的方向。 热管理就是一个能量转换的过程，因此固体材料之间的界面的热传递引起了人们的极大兴趣。纳米结构器件的普及

电子管虽然能够实现检波和放大，但是存在很多缺点，例如体积大、故障率高、容易损坏（玻璃管子）、发热大、能耗高等等。 正因为有这些缺点，专家们一直在思考，是不是有性能更好、缺点更少的元器件，可以取代电子管，支撑电子产业的长远发展。 想着想着，他们将目光放到了矿石检波器的身上。 █ 矿石检波器——世界上最早的半导体器件 矿石检波器比电子管历史更加悠久。它利用的，是一些天然矿石（金属硫化物）的电流单向导通