Moldex3D模流分析之金线偏移及芯片封装.docx

节选段落一：
利用Moldex3D拖曳力分析结果 评估金线偏移
在封装制程中，填胶阶段产生的拖曳力是造成金线偏移的主要原因，有可能会导致接触短路。Moldex3D芯片封装 (IC Packaging) 模块提供拖曳力分析，能将施加在金在线的流动拖曳力可视化，以利清楚了解金线偏移现象。此功能是由金线偏移分析的求解器计算，因此归在金线偏移结果项目下。
步骤1：建立一个芯片封装仿真项目，并确认计算参数中封装页签下的拖曳力模型(Drag force model)的选择是否符合使用者假定(默认为Takaisi's模式)。
步骤2：开启分析顺序设定并设定充填(F)和金线偏移(WS)分析。


节选段落二：
确认完成基本封装分析及金线偏移分析的设定后，点击开始分析。
 
步骤3：完成充填与金线偏移分析后，拖曳力相关的结果项将会产生在金线偏移结果之下。点击X, Y, Z-拖曳力或总拖曳力，使用者便可藉由观察金在线被施加的力，来评估金线偏移问题。
芯片封装后熟化分析 确保产品物理强度
当热固性塑料被加热，高分子便开始聚合。随着交联剂的加入，反应单元的官能基周围形成化学交联点和交联结构网络，交联反应会巩固高分子的分子链，形成坚固的三维结构聚合物。


节选段落三：
后熟化制程就是将产品或模具暴露于升温的环境中，使其加速熟化过程，促进交联反应并适当地排列聚合物分子链，类似金属的加热，可增进材料的物理性质，如拉伸强度、弯曲强度及热变形温度等。
在新版Moldex3D中，后熟化模块除了支持一般熟化制程之外，也可应用于模内熟化(IMC) 阶段，帮助使用者更容易研究材料的熟化情形并确保产品物理强度。以下将说明操作步骤：
进行分析前，材料必须输入的参数包括热固性塑料受压力、温度、交联反应所造成的体积变化 (PVTC) 和黏弹参数。